| 纳米 MOSFET/SOI器件新结构 |
| |
| 引用本文： | 张正选,林成鲁. 纳米 MOSFET/SOI器件新结构[J]. 功能材料与器件学报, 2003, 9(2): 222-226 |
| |
| 作者姓名： | 张正选 林成鲁 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
| |
| 摘 要： | 重点介绍器件进入纳米尺度后出现的MOSFET／SOI器件的新结构，如超薄SOI器件、双栅MOSFET、FinFET和应变沟道等SOI器件，并对它们的性能进行了分析。
|
| 关 键 词： | 纳米MOSFET／SOI器件 双栅MOSFET FinFET 应变沟道 结构 CMOS器件 |
| 文章编号： | 1007-4252(2003)02-0222-05 |
| 修稿时间： | 2002-09-12 |
New devices architecture of nanometer MOSFET/SOI |
| |
| ZHANG Zheng-xuan,LIN Cheng-lu. New devices architecture of nanometer MOSFET/SOI[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2003, 9(2): 222-226 |
| |
| Authors: | ZHANG Zheng-xuan LIN Cheng-lu |
| |
| Abstract: | MOSFET devices are scaling into 100nm regime with the high-speed development of micro- electronics. In this paper, new nanometer SOI-MOSFET devices including ultra-thin SOI devices, double-gate MOSFET, FinFET and strained channel MOSFET are introduced systematically and their performance are analyzed as well. |
| |
| Keywords: | nanometer MOSFET SOI double-gate MOSFET FinFET SiGe/Si |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
