| PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 周艺,欧衍聪,郭长春,肖斌,何文红,胡旭尧.PECVD工艺参数对双层SiNx薄膜性能的影响[J].材料科学与工程学报,2012,30(6). |
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| 作者姓名： | 周艺 欧衍聪 郭长春 肖斌 何文红 胡旭尧 |
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| 作者单位： | 1. 长沙理工大学化学学院。湖南长沙410114
2. 长沙理工大学化学学院。湖南长沙410114 湖南神州光电能源有限公司技术研发部,湖南长沙,410205 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，长沙市科技局重点攻关资助项目 |
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| 摘 要： | 采用PECVD法在多晶硅基底上沉积双层SiN；薄膜，研究了工艺参数对其膜厚、折射率、沉积速率、HF腐蚀速率及光电性能等的影响，并提出了优化的SiNx减反膜PECVD制备工艺。研究发现：衬底温度、射频频率、射频功率、腔室压力对SiNx薄膜性能均有重要影响，且优化工艺后的双层SiNx薄膜能有效提高多晶硅太阳电池光电性能。
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| 关 键 词： | 双层SiNx 减反膜 工艺参数 薄膜性能 |
Influence of Technological Parameter on the Property of Double-layer SiNx Film by PECVD |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | double-layer SiNx film technological parameter properties of the film |
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