| Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜 |
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| 引用本文： | 卢洋藩,叶志镇,曾昱嘉,陈兰兰,朱丽萍,赵炳辉. Li-N-H共掺法制备 p型 ZnO薄膜[J]. 无机材料学报, 2006, 21(6): 1511-1514. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2006.01511 |
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| 作者姓名： | 卢洋藩 叶志镇 曾昱嘉 陈兰兰 朱丽萍 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;浙江省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用Li-N-H共掺技术在玻璃衬底上生长p型ZnO薄膜．XRD结果表明共掺ZnO薄膜具有高度c轴取向,Hall测试表明薄膜的电阻率为25．2Ω·cm,Hall迁移率为0．5cm~2/(V·s),空穴浓度为4．92×10~(17)/cm~3．此外,p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率．
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| 关 键 词： | 磁控溅射 共掺 |
| 文章编号： | 1000-324X（2006）06-1511-04 |
| 收稿时间： | 2006-01-06 |
| 修稿时间： | 2006-01-062006-02-27 |
Preparation of Li-N-H Codoped p-type ZnO Films |
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| LU Yang-Fan,YE Zhi-Zhen,ZENG Yu-Jia,CHEN Lan-Lan,ZHU Li-Ping,ZHAO Bing-Hui. Preparation of Li-N-H Codoped p-type ZnO Films[J]. Journal of Inorganic Materials, 2006, 21(6): 1511-1514. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2006.01511 |
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| Authors: | LU Yang-Fan YE Zhi-Zhen ZENG Yu-Jia CHEN Lan-Lan ZHU Li-Ping ZHAO Bing-Hui |
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| Affiliation: | (StateKeyLabofSiliconMaterials,ZhejiangUniversity,Hangzhou310027,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-ZnO |
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