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| 两级GaAs单片功率放大器 | |
| 作者姓名： | 顾炯 陈硕颀 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所(顾炯，陈硕颀，王福臣，过常宁)，南京电子器件研究所(林金庭) |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | <正>GaAs单片功率放大器是70年代末发展起来的.它可在卫星接收系统中作为后级放大;可作为VCO的后续放大器,从而组成新型的微波固态源;可用于无人值守微波中继站及雷达与其它电子工程中.这一广阔的应用前景使GaAs单片功放的研究引起了国内外的极大重视.本文在研究GaAs MESFET模型参数的提取拟合、放大电路的分析设计以及最终实现 |
| 关 键 词： | 功率放大器 两级 单片 GaAs |
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