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一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器
引用本文:成立,张荣标,李彦旭,董素玲.一种高速低耗全摆幅BiCMOS集成施密特触发器[J].固体电子学研究与进展,2003,23(2):210-213,235.
作者姓名:成立  张荣标  李彦旭  董素玲
作者单位:1. 江苏大学电气信息学院,镇江,212013
2. 徐州建筑职业技术学院机电工程系,徐州,221008
基金项目:江苏省高校自然科学研究基金项目 ( 0 2 KJB5 10 0 0 5 )
摘    要:通过分析国外流行的一种 Bi CMOS集成施密特触发门 ,提出了一种高速、低功耗、全摆幅输出的Bi CMOS施密特触发器。该器件中单、双极型电路优势互补 ,电源电压为 1 .5 V,实现了优于同类产品的全摆幅输出 ,且其开关速度高于同类 CMOS产品的 1 3倍以上 ,因此特别适用于高速数字通信系统中

关 键 词:双极互补金属氧化物半导体器件  施密特触发器  全摆幅设计  延时-功耗积  超大规模集成电路
文章编号:1000-3819(2003)02-210-04

A High-speed, Low-consumption & Full-swing BiCMOS IC Schmitt Trigger
CHENG Li,ZHANG Rongbiao,LI Yanxu.A High-speed, Low-consumption & Full-swing BiCMOS IC Schmitt Trigger[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2003,23(2):210-213,235.
Authors:CHENG Li  ZHANG Rongbiao  LI Yanxu
Abstract:A novel high speed, low power consumption and full swing BiCMOS Schmitt trigger, consisting of a BiCMOS inverter, a CMOS latch circuit and a feedback network, is proposed after the same BiCMOS one is analyzed. Although the power consumption of this proposed 1.5 V device is slightly more than that of the CMOS counterpart, this one is a full swing design and its speed even reaches 13 times of that of the CMOS trigger. With these characteristics, this device is very suitable for high speed, low supply voltage and low power consumption applications.
Keywords:BiCMOS device  Schmitt trigger  full-swing design  delay-consumption product  VLSI
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