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| 铁电存储器及其关键集成工艺 | |
| 引用本文： | 吴瑰,陶俊. 铁电存储器及其关键集成工艺[J]. 今日电子, 2005, 23(4): 93-95 |
| 作者姓名： | 吴瑰 陶俊 |
| 作者单位： | 武汉长江职业学院;武汉长江职业学院 |
| 摘 要： | 将铁电薄膜与CMOS工艺相集成是实现铁电存储器制备的关键所在，采用PZT材料的铁电随机存储器的工作原理、工艺流程，以及铝连线在还原性氢气氛中退火对于铁电电容特性的影响在本文中被探讨，还原性气体隔离层的几种适用材料的特性，以及隔离层制备的工艺集成这一关键问题被着重研究。 |
| 关 键 词： | 铁电存储器 氢隔离层 不挥发存储器 氮氧化硅 |
Study on FeRAM and its pivotal integration process |
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| Keywords: | |
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