| Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究 |
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| 引用本文： | 汪峰,张荣,陈志忠,朱健民,顾书林,沈波,李卫平,施毅,郑有抖.Si衬底上横向外延GaN材料的微结构和光学性质的研究[J].高技术通讯,2002,12(3):47-49. |
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| 作者姓名： | 汪峰 张荣 陈志忠 朱健民 顾书林 沈波 李卫平 施毅 郑有抖 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项 (G2 0 0 0 0 6 83)，国家杰出青年科学研究基金 ( 6 0 0 2 5 411)，国家自然科学基金 ( 6 9976 0 14 ,6 96 36 0 10 ,6 980 6 0 0 6,6 99870 0 1)，86 3计划 ( 86 3 30 7 12 3( 0 5 ),86 3 715 0 0 1 0 2 2 0,86 3 715 0 11 0 0 31)资助项 |
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| 摘 要： | 用氢化物气相外延 (HVPE)方法在Si(III)衬底上成功横向外延生长出晶体质量较好的GaN薄膜材料。透射电子显微镜 (TEM )的研究结果表明 ,横向外延区域GaN的位错密度明显减小。由于SiO2 掩膜腐蚀角的不同 (分别为 90°和 6 6°) ,导致了横向外延GaN材料一些独特的微观形貌。微区拉曼光谱由数百条拉曼散射曲线组成 ,每一条曲线有三个振动模 ,分别对应Si振动模式 (5 2 0cm- 1) ,E2 模式 (5 6 6cm- 1)和E1(LO)模式(732cm- 1)。在垂直条纹方向 ,峰位和峰宽没有明显的变化 ,而峰强约 5 μm会发生周期性变化
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| 关 键 词： | 微结构 光学性质 HVPE 横向外延 GaN Si（Ⅲ）衬底 硅衬底 氮化镓 薄膜材料 |
Study of Microstructure and Optical Properties of Epitaxial Laterally Overgrown GaN Films on Si (III) Substrate |
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| Wang Feng,Zhang Rong,Chen Zhizhong,Zhu Jianmin,Gu Shulin,Shen Bo,Chen Peng,Zhou yugang,Li Weiping,Shi Yi,Zheng Youdou.Study of Microstructure and Optical Properties of Epitaxial Laterally Overgrown GaN Films on Si (III) Substrate[J].High Technology Letters,2002,12(3):47-49. |
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| Authors: | Wang Feng Zhang Rong Chen Zhizhong Zhu Jianmin Gu Shulin Shen Bo Chen Peng Zhou yugang Li Weiping Shi Yi Zheng Youdou |
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| Keywords: | Microstrcture and optical properties HVPE-ELO GaN S(III) substrate |
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