| 砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展 |
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| 引用本文： | 陈效建,毛昆纯,林金庭,杨乃彬. 砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展[J]. 功能材料与器件学报, 2000, 6(3): 129-136 |
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| 作者姓名： | 陈效建 毛昆纯 林金庭 杨乃彬 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京210016 |
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| 摘 要： | 着重讨论南京电子器件研究所（ＮＥＤＩ）在ＧａＡｓ ＭＭＩＣ研制方面的近期进展。在详细介绍ＭＭＩＣ有源器件（ＭＥＳＦＥＴ，ＰＨＥＭＴ及ＨＢＴ）的ＣＡＤ模型建立技术及ＭＭＩＣ ＣＡＤ设计优化技术的基础上，以ＮＥＤＩ近年开发的各种ＭＭＩＣ为实例，包括发射，、接收与控制三类电路，给出有关的实验结果。此外，简要介绍了ＮＥＤＩ在移动通信手机用ＭＭＩＣ技术开发方面的前期结果。
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| 关 键 词： | 砷化镓 微波单片集成电路 CAD模型 设计优化 |
| 修稿时间： | : |
Development of GaAs MMIC technology |
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| CHEN Xiao-jian,MAO Kun-chun,LIN Jin-ting,YANG Nai-bin. Development of GaAs MMIC technology[J]. Journal of Functional Materials and Devices, 2000, 6(3): 129-136 |
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| Authors: | CHEN Xiao-jian MAO Kun-chun LIN Jin-ting YANG Nai-bin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs MMIC CAD model CAD Design and Optimization |
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