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| 用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q(英文) | |
| 作者姓名： | 王勇刚 李朝阳 马骁宇 张志刚 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083(王勇刚，马骁宇)，北京工业大学数理学院 北京100022(李朝阳)，北京工业大学数理学院 北京100022(张志刚) |
| 摘 要： | 对半绝缘Ga As晶片进行As+ 注入,注入能量为4 0 0 ke V ,剂量为10 1 6 cm- 2 .用这种注入条件下的Ga As晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了6 2 ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果. |
| 关 键 词： | 离子注入GaAs 被动调Q 闪光灯泵浦 |
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