| SiCp/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究 |
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| 引用本文： | 隋贤栋,罗承萍,欧阳柳章,骆灼旋. SiCp/Al-Si复合材料中SiC/Al界面处亚晶铝带的研究[J]. 材料工程, 2000, 0(3): 8-10 |
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| 作者姓名： | 隋贤栋 罗承萍 欧阳柳章 骆灼旋 |
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| 摘 要： | 通过利用ＴＥＭ研究ＳｉＣｐ／Ａｌ－Ｓｉ昨合材料发现，ＳｉＣ／Ａｌ界面结合紧密，在靠近ＳｉＣ界面的Ａｌａ基体中，有一层厚度小于１μｍ的“亚晶铝带”，它紧靠ＳｉＣ表面形成，与远离ＳｉＣ的Ａｌ基体有几度的位向差，这种“亚晶铝带”在ＳｉＣ／Ａｌ界面上普遍存在，其内有大量位错。
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| 关 键 词： | SiCp／Al－Si复合材料 SiC／Al界面 亚晶铝带 位错 |
A Study of Subgrain Al Layer of SiC/Al Interface in SiCp/Al-Si Composites |
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| SUI Xian-dong,LUO Cheng-ping,OUYANG Liu-Zhang,LOU Zhou-xuan. A Study of Subgrain Al Layer of SiC/Al Interface in SiCp/Al-Si Composites[J]. Journal of Materials Engineering, 2000, 0(3): 8-10 |
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| Authors: | SUI Xian-dong LUO Cheng-ping OUYANG Liu-Zhang LOU Zhou-xuan |
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