| 高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜 |
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| 引用本文： | 韩伟强,韩高荣,聂东林,丁子上.高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜[J].真空科学与技术学报,1996(6). |
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| 作者姓名： | 韩伟强 韩高荣 聂东林 丁子上 |
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| 作者单位： | 清华大学物理系!北京100084(韩伟强)，浙江大学材料系!杭州310027(韩高荣)，山东建材学院(聂东林)，山东建材学院!济南250022(丁子上) |
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| 摘 要： | 在等离子体化学气相沉积系统（PECVD）中，使用高氢稀释硅烷（SiH_4）加乙烯（C_2H_4）为反应气氛制备了纳米硅碳（nc-SiC_x：H）薄膜。随着（C_2H_4＋SiH_4）／H_2（X_g）从2％增加到5％时，由于H蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从48％下降到8％，平均晶粒尺寸在3．5～10nm。当X_g≥6％时，生成薄膜为非晶硅碳（a-SiC_x：H）薄膜。nc－SiC~x：H薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相关的逾渗行为。本文将对nc－SiC_x：H薄膜的生长机制和晶化机制进行较详细讨论。
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| 关 键 词： | 纳米硅碳薄膜 高氢稀释法 晶化机制 |
PREPARATION OF NANOCRYSTALLINE SILICON CARBON FILMS BY HEAVILY HYDROGEN DILUTED SILANE AND ETHENE |
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| Han Weiqiang.PREPARATION OF NANOCRYSTALLINE SILICON CARBON FILMS BY HEAVILY HYDROGEN DILUTED SILANE AND ETHENE[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,1996(6). |
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| Authors: | Han Weiqiang |
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| Keywords: | Nanocrystalline silicon carbon film Heavily hydrogen dilution Crystallization mechanism |
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