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| 半导体工艺中的新型刻蚀技术——ICP | |
| 作者姓名： | 王晨飞 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083 |
| 摘 要： | 本文详细介绍了电导耦合等离子体(ICP——Inductive Coupled Plasma)刻蚀技术的基本原理及相关工艺设备机构。根据近年来国内外ICP技术的发展现状和发展趋势，对其在光电子器件、半导体氧化物、Ⅲ-Ⅴ族化合物等方面的应用作了一些简要介绍。 |
| 关 键 词： | ICP 等离子体 蚀刻 |
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