| 钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善 |
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| 引用本文： | 薛松,韩彦军,罗毅.钝化处理对GaN基LED反向漏电流特性的改善[J].半导体光电,2006,27(2):164-166. |
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| 作者姓名： | 薛松 韩彦军 罗毅 |
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| 作者单位： | 清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084;清华大学,电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家科技攻关项目
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北京市科技计划 |
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| 摘 要： | 通过采用硫代乙酰胺(CH3CSNH2)溶液浸泡和沉积SiNx薄膜对干法刻蚀后的GaN基LED进行了处理.处理后,LED器件在-5V直流电压偏置下的漏电流下降到约1/6.X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明,CH3CSNH2溶液处理能阻止GaN表面吸附O杂质,起到钝化的作用.沉积SiNx介质薄膜能有效隔绝LED器件和周围的环境.因此,这种两步方法能钝化干法刻蚀后GaN的侧壁,有效地减小LED器件的漏电流.
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| 关 键 词： | 氮化镓 LED 钝化 漏电流 XPS |
| 文章编号： | 1001-5868(2006)02-0164-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-30 |
| 修稿时间： | 2005年8月30日 |
Improvement on GaN-based LED Reversed Leakage Current Characteristic by Passivation Process |
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| XUE Song,HAN Yan-jun,LUO Yi.Improvement on GaN-based LED Reversed Leakage Current Characteristic by Passivation Process[J].Semiconductor Optoelectronics,2006,27(2):164-166. |
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| Authors: | XUE Song HAN Yan-jun LUO Yi |
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| Affiliation: | State Key Lab. on Integrated Optoelectronics, Dept. of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN LED passivation leakage current XPS |
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