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三维In_2S_3/TiO_2纳米复合材料的制备及光电性能
引用本文:李玥,邵浦华,尹萍萍,张恒飞,陈娇.三维In_2S_3/TiO_2纳米复合材料的制备及光电性能[J].电镀与精饰,2018(8):1-5.
作者姓名:李玥  邵浦华  尹萍萍  张恒飞  陈娇
作者单位:河南工程学院材料与化学工程学院,河南郑州,450007
基金项目:国家自然科学基金青年基金(51608175),河南省教育厅科学技术研究重点项目(17B610004
摘    要:采用阳极氧化法在钛网基底上制备出TiO_2纳米管阵列,利用连续离子层吸附法(SILAR)将半导体In_2S_3沉积到TiO_2纳米管表面,制备In_2S_3/TiO_2纳米复合材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射仪(XRD)及紫外-可见漫反射光谱(DRS)对材料的形貌和结构进行表征,并通过荧光光谱仪以及光电信号对不同沉积圈数的In_2S_3/TiO_2纳米复合材料的光电性能进行测试。结果表明,制备的In_2S_3纳米颗粒均匀沉积在TiO_2纳米管上,并且不会堵塞纳米管的管孔。沉积不同圈数的In_2S_3/TiO_2纳米复合材料表现出不同的光电化学性质。

关 键 词:TiO2纳米管  In2S3  SILAR法  钛网  光电性能

Preparation and Photoelectric Performance of 3D In2S3/TiO2 Nano Composite
LI Yue,SHAO Puhua,YIN Pingping,ZHANG Hengfei,CHEN Jiao.Preparation and Photoelectric Performance of 3D In2S3/TiO2 Nano Composite[J].Plating & Finishing,2018(8):1-5.
Authors:LI Yue  SHAO Puhua  YIN Pingping  ZHANG Hengfei  CHEN Jiao
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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