| HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究 |
| |
| 引用本文： | 王新中,于广辉,李世国. HCl气体辅助生长GaN纳米线阵列与机理研究[J]. 光电子．激光, 2014, 0(5): 903-907 |
| |
| 作者姓名： | 王新中 于广辉 李世国 |
| |
| 作者单位： | 深圳信息职业技术学院,广东 深圳 518029;中国科学院 上海微系统与信息技术研究 所,上海 200050;深圳信息职业技术学院,广东 深圳 518029 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(61240015)、广东省自然科学基金(S2012010010030)和深 圳市科技计划(JCYJ20120615101957810,JCYJ20130401100513002)资助项目 (1.深圳信息职业技术学院,广东 深圳 518029; 2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050) |
| |
| 摘 要： | 研究了一种无金属催化剂生长GaN纳米线阵列的方法。通过HCl气体作为催化剂,利用氢化物气相外延(HVPE)系统在GaN/sapphire模板上制备出纯净的GaN纳米线阵列;利用扫描电镜(SEM)、能量分散X射线荧光(EDX)谱和透射电镜(TEM)测试,研究了生长条件的变化对GaN纳米线阵列的影响,分析了GaN纳米线阵列的生长过程并探索了其生长机理,为GaN纳米线阵列的可控生长提供了理论依据。
|
| 关 键 词： | 氮化镓(GaN) 纳米线 阵列 氢化物气相外延(HVPE) |
| 收稿时间： | 2013-10-20 |
Fabrication and mechanism investigation of nanowire array on GaN substrate with the assistance of HCl gas |
| |
| WANG Xin-zhong,YU Guang-hui and LI Shi-guo. Fabrication and mechanism investigation of nanowire array on GaN substrate with the assistance of HCl gas[J]. Journal of Optoelectronics·laser, 2014, 0(5): 903-907 |
| |
| Authors: | WANG Xin-zhong YU Guang-hui LI Shi-guo |
| |
| Affiliation: | Shenzhen Institute of Information Technology,Shenzhen 518029,China;Shanghai Institute of Microsystemand Information Technology,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200050,China;Shenzhen Institute of Information Technology,Shenzhen 518029,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | gallium nitride (GaN) nanowire array hydride vapor phase epitaxy (HVPE) |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《光电子．激光》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《光电子．激光》下载全文 |
|
