分子束外延生长Hg1-xCdxTe材料原位退火研究

对分子束外延（MBE）生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知，原位退火可以得到光滑的材料表面，并可以降低材料的腐蚀坑密度（EPD）。霍尔测试结果表明，通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1—xCdxTe材料的电学性能。研究表明Hg1-xCdxTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义。