| 熔硅浸渗工艺快速制备C/SiC复合材料的非等温氧化行为 |
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| 引用本文： | 闫志巧,熊翔,肖鹏,姜四洲,黄伯云. 熔硅浸渗工艺快速制备C/SiC复合材料的非等温氧化行为[J]. 中国有色金属学报, 2007, 17(10): 1597-1603 |
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| 作者姓名： | 闫志巧 熊翔 肖鹏 姜四洲 黄伯云 |
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| 作者单位： | 中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 以针刺整体毡为预制体,采用化学气相沉积（CVD）增密制备C/C多孔体,用熔硅浸渗（MSI）工艺快速制备C/SiC复合材料,通过非等温热重分析研究材料低温下的氧化反应动力学和反应机理。结果表明：C/SiC材料的非等温氧化过程呈现自催化特征,氧化机理为随机成核,氧化动力学参数为l：g（A/min^-1）=8.752,Ea=169.167 kJ/mol。MSI工艺中,纤维因硅化损伤产生的活性碳原子易先发生氧化,使C/SiC材料起始氧化温度仅为524℃,比C/C材料约低100℃,且氧化产生大量的裂纹和界面,使材料在氧化初期即具有大的氧化反应速率,C/C材料则出现氧化反应速率滞后现象。
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| 关 键 词： | C/SiC复合材料 C/C复合材料 熔硅浸渗 氧化动力学 机理 |
| 文章编号： | 1004-0609（2007）10-1597-07 |
| 收稿时间： | 2007-02-06 |
| 修稿时间： | 2007-06-25 |
Non-isothermal oxidation behavior of C/SiC composites rapidly prepared by molten silicon infiltration technique |
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| YAN Zhi-qiao,XIONG Xiang,XIAO Peng,JIANG Si-zhou,HUANG Bai-yun. Non-isothermal oxidation behavior of C/SiC composites rapidly prepared by molten silicon infiltration technique[J]. The Chinese Journal of Nonferrous Metals, 2007, 17(10): 1597-1603 |
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| Authors: | YAN Zhi-qiao XIONG Xiang XIAO Peng JIANG Si-zhou HUANG Bai-yun |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | C/SiC composites C/C composites molten silicon infiltration oxidation kinetics mechanism |
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