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等离子辅助电子束蒸发La2O3薄膜的制备
引用本文:杨陈,樊慧庆,焦岗成,惠迎雪.等离子辅助电子束蒸发La2O3薄膜的制备[J].稀有金属材料与工程,2007,36(Z1).
作者姓名:杨陈  樊慧庆  焦岗成  惠迎雪
基金项目:国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目;教育部新世纪人才基金;陕西省西安市科技攻关项目
摘    要:采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜.随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1 h.实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向.对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右.

关 键 词:La2O3薄膜  等离子辅助电子束蒸发  薄膜结构  I-V特性  透过率

Preparation of La2O3 Films by Ion Beam Assistant E-Beam Evaporation
Yang Chen,Fan Huiqing,Jiao Gangcheng,Hui Yingxue.Preparation of La2O3 Films by Ion Beam Assistant E-Beam Evaporation[J].Rare Metal Materials and Engineering,2007,36(Z1).
Authors:Yang Chen  Fan Huiqing  Jiao Gangcheng  Hui Yingxue
Abstract:
Keywords:
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