| 偏压对MCECR溅射碳氮膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 蔡长龙,弥谦,马卫红,梁海锋,严一心.偏压对MCECR溅射碳氮膜特性的影响[J].西安工业大学学报,2006,26(3):215-218. |
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| 作者姓名： | 蔡长龙 弥谦 马卫红 梁海锋 严一心 |
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| 作者单位： | 西安工业大学光电工程学院 西安710032 |
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| 摘 要： | 用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石墨靶,研究了基片偏压对CNx膜机械特性和微观结构的影响,详细分析了基片偏压对CNx膜性能影响的机理.实验结果表明,当基片偏压为 30 V时,CNx膜层性能良好,硬度约为31.48 Gpa,摩擦系数约为0.14,磨损率为6.75×10-15m3/m,系数x接近于4/3.
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| 关 键 词： | MCECR等离子体溅射 碳氮膜 基片偏压 膜层性能 |
| 文章编号： | 1000-5714（2006）03-215-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-10 |
| 修稿时间： | 2005年10月10 |
Influence of Bias on Properties of CNx Films Sputtered by MCECR |
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| Authors: | CAI Chang-long MI Qian MA Wei-hong LIANG Hai-feng YAN Yi-xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MCECR plasma sputtering CNx films Substrate bias Film properties |
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