| PZT铁电薄膜的印迹研究 |
| |
| 引用本文： | 陈富贵,杨成韬,刘敬松,田召明,彭家根,张树人.PZT铁电薄膜的印迹研究[J].电子元件与材料,2005,24(5):40-42. |
| |
| 作者姓名： | 陈富贵 杨成韬 刘敬松 田召明 彭家根 张树人 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
| |
| 摘 要： | 印迹(Imprint)是造成铁电存储器失效的一个重要因素,通过分析不同厚度的PZT薄膜电容的界面层后认为,造成印迹的原因是上下电极与铁电薄膜之间界面层厚度的不同,导致了铁电薄膜表面极化钉扎状态的差异。矫顽电压偏移量对铁电薄膜的厚度依赖性,以及矫顽电压的偏移量随时间变化规律,很好地证实了笔者的设想。
|
| 关 键 词： | 无机非金属材料 锆钛酸铅铁电薄膜 印迹 矫顽电压 界面层 |
| 文章编号： | 1001-2028(2005)05-0040-03 |
Imprint Behavior Investigation of the Pb(Zr,Ti)O3 Ferrelectric Thin Films |
| |
| CHEN Fu-gui,YANG Cheng-tao,LIU Jing-song,TIAN Zhao-ming,PENG Jia-gen,ZHANG Shu-ren.Imprint Behavior Investigation of the Pb(Zr,Ti)O3 Ferrelectric Thin Films[J].Electronic Components & Materials,2005,24(5):40-42. |
| |
| Authors: | CHEN Fu-gui YANG Cheng-tao LIU Jing-song TIAN Zhao-ming PENG Jia-gen ZHANG Shu-ren |
| |
| Abstract: | Imprint is an important effect of the failure mechanisms in ferroelectric memory devices. By the analysis of the interface layer of the ferroelectric capacitors, it was assumed that the imprint was induced by the different defect distribution at the interface between interface layer and ferrroelectric film, and the difference of the defect distribution was induced by the difference thickness of the interface. The thickness dependence of coercive voltage shift and coercive voltage shift with time verify auctorial assumption. |
| |
| Keywords: | inorganic non-metallic materials PZT ferroelectric thin films imprint coercive voltage interface layer |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
