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| 外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响 | |
| 作者姓名： | 范梦慧 蔡勋明 岑伟富 骆最芬 闫万珺 谢泉 |
| 作者单位： | 贵州民族大学理学院;贵州大学电子信息学院 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61264004);科技部国际科技合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技厅创新人才基金资助项目(黔科合J字[2011]4002);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字LKM[2013]15) |
| 摘 要： | 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究了Cr-Se共掺杂单层MoS2未施应变和(0001)面施加应变的光电特性。计算结果表明:未施加应变体系属直接带隙半导体,张应变下体系的带隙值随应变增加而减小,压应变下带隙值随应变增加先增加后减小,在应变为-6%时转化为Γ-M间接带隙半导体,带隙值达到极大值1.595eV;介电函数和折射率随张应变的增加而增加,随压应变增加先减小后增大,在压应变为-6%时达到极小值3.627和1.905;光电导率和能量损失函数随张应变增加而减小,随压应变增加先增加后减小,应变分别为-5%和-2%时达到极大值2.588和9.428。可见,应变能更精细地调制Cr-Se共掺杂单层MoS2的光电特性。 |
| 关 键 词： | Cr-Se共掺单层MoS2 应变 电子结构 光学性质 第一性原理 |
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