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化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究
引用本文:李春领,何铁生,侯晓敏,秦艳红,王春红.化合物半导体材料碲镉汞表面平坦化方法研究[J].激光与红外,2012,42(7):778-780.
作者姓名:李春领  何铁生  侯晓敏  秦艳红  王春红
作者单位:1. 华北光电技术研究所,北京,100015
2. 73061部队,江苏徐州,221008
摘    要:研究了一种去除碲镉汞液相外延(LPE)薄膜材料表面波纹的方法。器件结果显示,利用该方法可以有效去除碲镉汞薄膜材料表面的波纹,获得较好的平坦化表面,提高了大面积红外焦平面器件芯片工艺和互连效果。

关 键 词:碲镉汞  表面平坦化  红外焦平面

Surface-flattening method research of compound semiconductor HgCdTe material
LI Chun-ling,HE Tie-sheng,HOU Xiao-min,QIN Yan-hong,WANG Chun-hong.Surface-flattening method research of compound semiconductor HgCdTe material[J].Laser & Infrared,2012,42(7):778-780.
Authors:LI Chun-ling  HE Tie-sheng  HOU Xiao-min  QIN Yan-hong  WANG Chun-hong
Affiliation:1(1.North China Research Institute of Electro-optics,Beijing 100015,China;2.Unit 73061,PLA.Xuzhou 221008,China)
Abstract:
Keywords:
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