| SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构 |
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| 引用本文： | 李连碧,陈治明,蒲红斌,林涛,李佳,陈春兰,李青民.SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构[J].半导体学报,2007,28(Z1):123-126. |
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| 作者姓名： | 李连碧 陈治明 蒲红斌 林涛 李佳 陈春兰 李青民 |
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| 作者单位： | 李连碧（西安理工大学电子工程系,西安,710048）;陈治明（西安理工大学电子工程系,西安,710048）;蒲红斌（西安理工大学电子工程系,西安,710048）;林涛（西安理工大学电子工程系,西安,710048）;李佳（西安理工大学电子工程系,西安,710048）;陈春兰（西安理工大学电子工程系,西安,710048）;李青民（西安理工大学电子工程系,西安,710048） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:60376011)和教育部高校博士学科点专项科研基金(批准号;20040700001)资助项目 |
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| 摘 要： | 用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性研究.发现样品包含两种特征相,由随机分布的球形岛和岛周围较平坦的背景区域组成.EDS结果表明两相组分不同球形岛为高Ge区,组分比大于30%;背景区域Ge含量则低于1%.两种相的生长速率也不相同,在生长时间相同的情况下,背景区较薄,且满布三角形堆垛层错.样品的PL峰位于2.2和2.7eV处.分析认为,这两个峰分别来自球形岛和背景区域的带间辐射复合.
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| 关 键 词： | SiC SiCGe 岛状生长 LPCVD |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0123-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月29 |
Structural Analysis of the SiCGe Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate |
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