SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构 |
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引用本文: | 李连碧 陈治明 蒲红斌 林涛 李佳 陈春兰 李青民. SiC衬底上SiCGe外延薄膜的结构[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 123-126 |
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作者姓名: | 李连碧 陈治明 蒲红斌 林涛 李佳 陈春兰 李青民 |
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作者单位: | 李连碧(西安理工大学电子工程系,西安,710048);陈治明(西安理工大学电子工程系,西安,710048);蒲红斌(西安理工大学电子工程系,西安,710048);林涛(西安理工大学电子工程系,西安,710048);李佳(西安理工大学电子工程系,西安,710048);陈春兰(西安理工大学电子工程系,西安,710048);李青民(西安理工大学电子工程系,西安,710048) |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:60376011)和教育部高校博士学科点专项科研基金(批准号;20040700001)资助项目 |
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摘 要: | 用热壁CVD法在6H-SiC衬底上生长了SiCGe三元合金,样品生长呈现出显著的岛状特征.利用SEM,TEM,EDS和PL等分析手段对薄膜进行了特性研究.发现样品包含两种特征相,由随机分布的球形岛和岛周围较平坦的背景区域组成.EDS结果表明两相组分不同球形岛为高Ge区,组分比大于30%;背景区域Ge含量则低于1%.两种相的生长速率也不相同,在生长时间相同的情况下,背景区较薄,且满布三角形堆垛层错.样品的PL峰位于2.2和2.7eV处.分析认为,这两个峰分别来自球形岛和背景区域的带间辐射复合.
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关 键 词: | SiC SiCGe 岛状生长 LPCVD |
文章编号: | 0253-4177(2007)S0-0123-04 |
修稿时间: | 2006-11-29 |
Structural Analysis of the SiCGe Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate |
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Abstract: | |
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