首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度
作者姓名:曹福年  卜俊鹏  吴让元  郑红军  惠峰  白玉珂  刘明焦  何宏家
摘    要:本文通过测量SI-GaAs抛光晶片及其本体(腐蚀了晶片的亚表面损伤层)的X射线回摆曲线FWHM,与抛光晶片的TEM观测相结合,作出晶片回摆曲线FWHM的比率R与TEM观测的晶片亚表面损伤层厚度D的关系曲线,建立了一种定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术,文中将对这种技术进行描述并作讨论.

点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号