| 高介电常数的栅极电介质LaAlO3薄膜的性能研究 |
| |
| 引用本文： | 王东生,于涛,游彪,夏奕东,胡安,刘治国.高介电常数的栅极电介质LaAlO3薄膜的性能研究[J].无机材料学报,2003,18(1):229-232. |
| |
| 作者姓名： | 王东生 于涛 游彪 夏奕东 胡安 刘治国 |
| |
| 作者单位： | 南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京大学固体微结构物理国家重点实验室，南京大学固体微结构物理国家重点实验室 南京 210093，南京 210093，南京 210093，南京 210093，南京 210093，南京 210093 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(19890310) |
| |
| 摘 要： | 在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料.
|
| 关 键 词： | 栅极电介质材料 介电常数 LaAlO3薄膜 铝酸镧 半导体集成电路 |
| 文章编号： | 1000-324X(2003)01-0229-04 |
| 收稿时间： | 2001-12-24 |
| 修稿时间： | 2001年12月24 |
Properties of High-k Gate Dielectric LaAlO3 Thin Films |
| |
| WANG Dong-Sheng,YU Tao,YOU Biao,XIA Yi-Dong,HU An,LIU Zhi-Guo.Properties of High-k Gate Dielectric LaAlO3 Thin Films[J].Journal of Inorganic Materials,2003,18(1):229-232. |
| |
| Authors: | WANG Dong-Sheng YU Tao YOU Biao XIA Yi-Dong HU An LIU Zhi-Guo |
| |
| Affiliation: | NationalLaboratoryofSolidStateMicrostructures;NanjingUniversity;Nanjing210093;China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | gate dielectric materials high-k LaAlO3 thin films |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《无机材料学报》下载全文 |
|
