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| GaAs—GaAlAs双异质结发光管的欧姆接触 | |
| 引用本文： | 王朝京.GaAs—GaAlAs双异质结发光管的欧姆接触[J].半导体光电,1981(4). |
| 作者姓名： | 王朝京 |
| 摘 要： | 一、前言欧姆接触是制管工艺的主要环节之一,欧姆接触的好坏对器件性能有很大的影响。为了使所需的电压电流顺利地加到发光器件上,发光二极管必须具有N面和P面电极。电极和器件之间应形成良好的欧姆接触。良好的欧姆接触应具备下列条件:(一)具有低的接触电阻;(二) 电极材料不宜过深掺入半导体内,由于制作接触电极而引起的半导体结构上的变化不致于引起器件其他特性的变化;(三) 电极和半导体接触面必 |
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