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超大规模集成电路设计基础 第三讲 NMOS VLSI的结构特性
引用本文:刘以暠,冯世琴.超大规模集成电路设计基础 第三讲 NMOS VLSI的结构特性[J].电子技术应用,1991(3).
作者姓名:刘以暠  冯世琴
作者单位:中科院遥感卫星地面站 (刘以暠),中科院文献情报中心(冯世琴)
摘    要:<正> 3.1 NMOS VLSI拓扑结构NMOS集成电路是多层布线的三维立体结构,整个电路完全由各层特定宽度的线条构成。一条扩散层线条与一条多晶层线条相交叉,即形成一MOS 管。故电路中的连接线占芯片结构的绝大部分面积。因此VLSI芯片设计中,多层布线的技术对简化结构,缩小面积、提高集成度就十分重要;而它所含元器件——MOS管的数量多少,相对来说就显得不很重要了。

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