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| 一种新型低功耗电流模式CMOS带隙基准设计 | |
| 引用本文： | 肖丹,吴婷茜.一种新型低功耗电流模式CMOS带隙基准设计[J].电子器件,2017,40(2). |
| 作者姓名： | 肖丹 吴婷茜 |
| 作者单位： | 上海金融学院信息管理中心 |
| 摘 要： | 为了降低传统带隙基准源的功耗和面积，提出了一种新型基于电流模式高阶曲率修正的带隙基准电压源电路。通过改进的电流模式曲率校正方法实现高阶温度补偿，并且通过集电极电流差生成绝对温度成正比（PTAT）电流，而不是发射极面积差，因此所需电阻以及双极型晶体管（BJT）数量更少。采用标准0.35μm CMOS技术对提出电路进行了具体实现。测量结果显示，温度在-40～130°C之间时，电路温度系数为6.85 ppm/°C，且能产生508.5mV的基准电压。该带隙基准可在电源电压降至1.8 V的情况下工作，在100Hz时，测量所得的电路电源抑制为-65.2dB。在0.1-10 Hz频率范围内，噪声电压均方根输出为3.75 μV。相比其他类似电路，当供电电源为3.3V时，提出电路的整体静态电流消耗仅为9.8μA，面积仅为0.09 mm2。 |
| 关 键 词： | 带隙基准 电流模式 曲率补偿 温度系数 低功耗 |
Design of a new low power current mode CMOS bandgap reference |
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| Abstract: | |
| Keywords: | bandgap reference current mode curvature compensation temperature coefficient low power |
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