一种0.18μm CMOS工艺的低功耗神经信号测量电路 |
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引用本文: | 肖海慧. 一种0.18μm CMOS工艺的低功耗神经信号测量电路[J]. 电子器件, 2017, 40(1) |
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作者姓名: | 肖海慧 |
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作者单位: | 常州纺织服装职业技术学院 |
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基金项目: | 2015JSJG293 |
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摘 要: | 针对神经信号测量系统的功耗和增益问题,提出一种增益可调的低功耗16通道神经信号测量以及刺激系统。该系统电路的放大级由16个前置放大器、1个多路转换器以及2个宽频后置放大器组成。系统包含1个逻辑控制单元,用于从缓冲器中获取实测结果,同时也可以控制电路的偏置电流、高通转折频率、后置放大器增益以及刺激电流强度。可将所有通道配置为输出,利用双极电流脉冲刺激神经元。提出的系统电路是采用低成本0.18 μm IC工艺制成。实际测试结果显示,相比其他类似结构电路,提出电路的功率消耗最低,仅为1.31到1.48 mW,可调增益最高可达76.2dB,数据传输速率可达3.5Mbps。
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关 键 词: | 神经信号测量;后置放大器;低功耗;可调增益; |
Low power nerve signal measuring circuit with 0.18 m CMOS Technology |
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Abstract: | |
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Keywords: | neural signal measurement post amplifier low power consumption adjustable gain |
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