| Y2O3-Gd2O3-HfO2掺杂W基直热式阴极热发射及耐电子轰击特性研究 |
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| 引用本文： | 漆世锴,王小霞,罗积润,胡明炜,李云.Y2O3-Gd2O3-HfO2掺杂W基直热式阴极热发射及耐电子轰击特性研究[J].稀有金属材料与工程,2018,47(12):3784-3788. |
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| 作者姓名： | 漆世锴 王小霞 罗积润 胡明炜 李云 |
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| 作者单位： | 中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室 北京;中国科学院大学 北京,中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室 北京,中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室 北京,中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室 北京;中国科学院大学 北京,中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室 北京 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(No.2013CB328901); 国家自然科学基金资助(项目号11305177)； |
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| 摘 要： | 为了提高大功率磁控管阴极的耐电子轰击性能，首次采用Y2O3-Gd2O3-HfO2(Y-Gd-Hf-O)掺杂金属W粉制备大功率磁控管用直热式阴极。对不同质量百分比(wt%)Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极的热发射及耐电子轰击特性进行了研究。实验结果显示，50 wt% Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极具有较大的热发射能力，1500 ℃工作温度下即可提供1.0 A/cm2的拐点发射电流密度。10 wt% Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极具有较好的耐电子轰击性能，经过14 W/cm2电子连续轰击200 h后，热发射电流密度仅下降0.1 A/cm2。最后，对Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极热发射及耐电子轰击机理进行了有益的探讨。
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| 关 键 词： | 直热式阴极 磁控管 热发射 耐电子轰击 发射机理 |
| 收稿时间： | 2016/6/9 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/10/23 0:00:00 |
A study on the thermionic emission and anti-electron-bombing characteristics of the Y2O3-Gd2O3-HfO2 doping W base direct-heated cathode |
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| qishikai,wangxiaoxi,luojirun,humingwei and liyun.A study on the thermionic emission and anti-electron-bombing characteristics of the Y2O3-Gd2O3-HfO2 doping W base direct-heated cathode[J].Rare Metal Materials and Engineering,2018,47(12):3784-3788. |
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| Authors: | qishikai wangxiaoxi luojirun humingwei and liyun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Directly-heated cathode Magnetron thermionic emission anti-electron-bombing emission mechanism |
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