| 高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准 |
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| 引用本文： | 李泳佳,夏晓娟. 高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准[J]. 电子设计工程, 2009, 17(12) |
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| 作者姓名： | 李泳佳 夏晓娟 |
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| 作者单位： | 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096;东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心,江苏,南京,210096 |
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| 摘 要： | 基于工作在亚阈值区的MOS器件,运用CMOS电流模基准时CATA和PTAT电流求和的思想,提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比(PSRR)的CMOS电压基准源,该电路可同时提供多个输出基准电压,且输出电压可调.该基准源基于CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺,充分利用预调节电路并改进电流模基准核心电路,使整个电路的电源抑制比在低频时达到122 dB,温度系数(TC)在0～100℃的温度范围内约7 ppm/℃.
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| 关 键 词： | CMOS电压基准源 电源抑制比(PSRR) 亚阈值区 电压预调节电路 多输出 |
Multiple-output CMOS weak inversion voltage reference of high PSRR |
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| LI Yong-jia,XIA Xiao-juan. Multiple-output CMOS weak inversion voltage reference of high PSRR[J]. Electronic Design Engineering, 2009, 17(12) |
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| Authors: | LI Yong-jia XIA Xiao-juan |
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