| 厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 韩东港,陈新亮,杨瑞霞,赵颖.厚度对电子束蒸发制备IMO薄膜性能的影响[J].河北工业大学学报,2010,39(6). |
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| 作者姓名： | 韩东港 陈新亮 杨瑞霞 赵颖 |
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| 基金项目： | 国家"973"重点基础研究项目，天津市应用基础及前沿技术研究计划 |
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| 摘 要： | 通过电子束蒸发法制备In2O3:Mo(IMO)薄膜,详细研究了厚度对薄膜光电性能的影响.当薄膜厚度为=35 nm时,XRD谱与SEM图像均证明薄膜基本上处于非晶态(存在少许纳米晶粒),其光学特性优良而电学特性较差;随着薄膜厚度增加,薄膜的晶体结构变得较完善,晶粒增大,薄膜电学性能取得到了改善,在薄膜厚度=150 nm时获得最小电阻率～2.1×10-4 cm,而光学特性有所恶化.通过性能指数比较,d=110 nm厚度的IMO薄膜光电性能较好.
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| 关 键 词： | 电子束蒸发技术 In2O3:Mo(IMO)薄膜 薄膜厚度 高迁移率 晶体结构 |
Effect of Thickness on the Mo-doped In2O3 (IMO) Thin Films Grown by Electron Beam Vapor Deposition |
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| HAN Dong-gang,CHEN Xin-liang,YANG Rui-xia,ZHAO Ying.Effect of Thickness on the Mo-doped In2O3 (IMO) Thin Films Grown by Electron Beam Vapor Deposition[J].Journal of Hebei University of Technology,2010,39(6). |
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| Authors: | HAN Dong-gang CHEN Xin-liang YANG Rui-xia ZHAO Ying |
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