| PECVD法低温淀积SiCx薄膜的防水汽扩散性能研究 |
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| 作者单位： | 姜利军（中国科学院上海冶金研究所中德联合电子器件封装实验室，上海
200050）;陈翔（中国科学院上海冶金研究所中德联合电子器件封装实验室，上海
200050）;王旭洪（中国科学院上海冶金研究所中德联合电子器件封装实验室，上海
200050）;徐立强（中国科学院上海冶金研究所中德联合电子器件封装实验室，上海
200050） |
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| 摘 要： | 外界水汽和离子的扩散对集成电路和传感器等器件的性能及使用寿命有很大影响，利用无机钝化材料阻挡水汽和离子的扩散是常用的提高器件寿命和稳定性的方法。本文采用PECVD方法在较低的衬底温度条件下淀积碳化硅薄膜，利用各种方法研究了碳化硅薄膜的防潮性能。实验证明，碳化硅薄膜是一种良好的水汽扩散阻挡材料，其防潮能力达到甚至超过了集成电路生产中常用的氮化硅薄膜。并且，低温碳化硅薄膜具有非常好的化学稳定性和抗刻蚀能力，在各种微加工工艺中有广泛的应用前景。
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| 关 键 词： | 碳化硅薄膜 PECVD 防水汽扩散 |
| 文章编号： | 1001-9731(2000)zk刊-0074-03 |
| 修稿时间： | 1998年11月16 |
Moisture- Resistance Properties of SiCx Thin Films Deposited by PECVD
at Low Temperature |
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