英特尔与镁光以创新巩固NAND闪存技术领导地位

12月6日,英特尔公司和镁光科技公司宣布推出全球首款20nm制程128 Gb多层单元(MLC)NAND设备,在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20nm制程64Gb NAND闪存,进一步扩展了双方在NAND制程工艺技术领域的领导地位。