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磁控溅射法制备碳化钨薄膜的研究及应用进展
引用本文:郑华均,黄建国. 磁控溅射法制备碳化钨薄膜的研究及应用进展[J]. 浙江化工, 2005, 36(1): 33-36
作者姓名:郑华均  黄建国
作者单位:浙江工业大学化材学院,浙江,杭州,310014
摘    要:综述了国内外磁控溅射法制备碳化钨薄膜技术的研究动态.文章认为,磁控溅射碳化钨薄膜今后研究的方向将集中在低温、超硬膜、耐蚀膜、催化性膜等方面.

关 键 词:碳化钨  磁控溅射法  催化剂
文章编号:1006-4184(2005)01-0033-04
修稿时间:2004-10-28

Development of Tungsten Carbide Film Preparation by Magnetron Sputtering and its Application
Abstract:
Keywords:
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