氮化铝多层共烧基板导带浆料的特性分析 |
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引用本文: | 胡永达,崔嵩,等.氮化铝多层共烧基板导带浆料的特性分析[J].混合微电子技术,2001,12(2):99-101. |
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作者姓名: | 胡永达 崔嵩 |
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作者单位: | [1]电子科技大学信息材料学院 [2]信息产业部电子43所 |
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摘 要: | 陶瓷多层共烧基板在MCM领域得到了广泛的应用,而共烧导带浆料的研制则是其中的重点,本文提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体浆料,在1800℃,4h,N2气氛下进行烧结。得到当SiO2含量在0.45wt%时,导带方阻达到10mΩ/□,基板的翘曲度小于50μm/500mm,导带的剥离强度大于30MPa.
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关 键 词: | 氮化铝 多层共烧 导带浆料 印刷电路板 基板 |
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