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| 半导体光电特性的表面光电压谱表征 | |
| 引用本文： | 王华英,朱海丰,何杰,李丽宏.半导体光电特性的表面光电压谱表征[J].河北建筑科技学院学报,2004,21(2):90-93. |
| 作者姓名： | 王华英 朱海丰 何杰 李丽宏 |
| 作者单位： | [1]河北工程学院数理系,河北邯郸056038 [2]河北大学,河北保定071002 |
| 摘 要： | 根据半导体能带结构，利用静电平衡条件及电荷守衡定律，详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法，给出了单晶硅的表面光电压谱，并由此得出了单晶硅的带隙能量。 |
| 关 键 词： | 半导体 表面光电压 表面光电压谱 单晶硅 |
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