半导体光电特性的表面光电压谱表征 |
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引用本文: | 王华英,朱海丰,何杰,李丽宏.半导体光电特性的表面光电压谱表征[J].河北建筑科技学院学报,2004,21(2):90-93. |
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作者姓名: | 王华英 朱海丰 何杰 李丽宏 |
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作者单位: | [1]河北工程学院数理系,河北邯郸056038 [2]河北大学,河北保定071002 |
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摘 要: | 根据半导体能带结构,利用静电平衡条件及电荷守衡定律,详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法,给出了单晶硅的表面光电压谱,并由此得出了单晶硅的带隙能量。
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关 键 词: | 半导体 表面光电压 表面光电压谱 单晶硅 |
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