| PREVAIL--下一代电子束投影曝光技术 |
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| 引用本文： | 王云翔,刘明,陈宝钦,李友,张建宏,张卫红. PREVAIL--下一代电子束投影曝光技术[J]. 微细加工技术, 2002, 0(2): 1-4 |
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| 作者姓名： | 王云翔 刘明 陈宝钦 李友 张建宏 张卫红 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子中心光掩模实验室,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (6 990 6 0 0 6 ) |
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| 摘 要： | PREVAIL作为下一代电子束投影曝光技术，采用可变轴浸没透镜，对以硅为支架的碳化硅薄膜进行投影微缩曝光。在1mm^2子场的情况下，运用步进扫描曝光方式，在100nm临界尺寸下具有较高的产量，也EUVL技术一起成为下一代曝光技术的有力竞争者。
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| 关 键 词： | PREVAIL 电子束投影曝光技术 光学光刻技术 NGL |
| 文章编号： | 1003-8213(2002)02-0001-04 |
| 修稿时间： | 2001-11-28 |
PREVAIL-Next-generation E-Beam Projection Lithography |
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| WANG Yun-xiang,LIU Ming,CHEN Bao-qin,LI You,ZHANG Jian-hong,ZHANG Wei-hong. PREVAIL-Next-generation E-Beam Projection Lithography[J]. Microfabrication Technology, 2002, 0(2): 1-4 |
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| Authors: | WANG Yun-xiang LIU Ming CHEN Bao-qin LI You ZHANG Jian-hong ZHANG Wei-hong |
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| Abstract: | As the next generation E-beam projection lithography technology,PREVAIL carries out the projection reduction exposure to the SiC membrane supported by silicon mount with variable immerssion lenses.When the subfield is 1mm 2 and the feature size is 100 nm,it has higher throughput using scan-step exposure strategy.PREVAIL,as well as EUVL,will be the competition of the next generation lithography technology. |
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| Keywords: | s:PREVAIL E-beam projection lithography |
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