| 反应磁控共溅射制备Ti掺杂的Cu_3N薄膜的特性研究 |
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| 引用本文： | 杨功胜,郭智文,顾广瑞,吴宝嘉.反应磁控共溅射制备Ti掺杂的Cu_3N薄膜的特性研究[J].延边大学理工学报,2018(1). |
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| 作者姓名： | 杨功胜 郭智文 顾广瑞 吴宝嘉 |
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| 作者单位： | 延边大学理学院 |
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| 摘 要： | 为了研究钛掺杂对Cu_3N薄膜特性的影响,利用射频和直流反应共溅射方法,在硅(100)和ITO玻璃衬底上,成功制备了不同Ti掺杂量的Cu_3N薄膜(Ti-Cu_3N薄膜).通过X射线衍射(XRD)发现,Ti-Cu_3N薄膜的结晶度均低于未掺杂的Cu_3N薄膜,但是随着Ti掺杂量的增加,结晶度增强.Ti-Cu_3N薄膜的晶格常数随着Ti掺杂量的增加先增后减,但均接近于Cu_3N的理论值.扫描电子显微镜(SEM)图片显示,随着Ti掺杂量的增加,薄膜表面变得粗糙,晶粒大小变得均匀.薄膜的微观硬度在Ti掺杂量为1.86at%时达到5.04GPa,而未掺杂的为4.19GPa.随着Ti掺杂量的增加,薄膜电阻率逐渐从未掺杂的5.73kΩ·cm下降到Ti掺杂量为1.86at%时的1.21kΩ·cm.Ti的掺杂使薄膜的平均反射率变大,但过量的Ti会导致透过率下降.随着Ti掺杂量的增加,薄膜的带隙先增大后减小,Ti掺杂量为1.60at%时获得1.39eV的最大带隙值.
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| 关 键 词： | 钛掺杂的氮化铜 电阻率 能带隙 硬度 |
Investigation on properties of Ti-doped Cu_3N films fabricated by reaction magnetron co-sputtering |
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