高g值加速度敏感芯片性能优化的结构分析 |
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引用本文: | 揣荣岩,刘升阳,张晓民,杨宇新.高g值加速度敏感芯片性能优化的结构分析[J].仪表技术与传感器,2018(6). |
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作者姓名: | 揣荣岩 刘升阳 张晓民 杨宇新 |
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作者单位: | 沈阳工业大学信息科学与工程学院;徐州奥得克电气有限公司 |
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摘 要: | 随着微机电系统(MEMS)技术的发展,出现了高g值加速度敏感芯片,但因所受惯性力巨大,其综合性能难以提升,特别是过载和交叉耦合问题尤为突出。利用有限元法对带有微梁的高g值加速度敏感结构进行了仿真分析,给出了结构优化的设计方法,在保证灵敏度的同时,显著提高芯片固有频率和抗过载能力。在芯片的质量块与边框连接处设计了具有补偿作用的凹槽,有效减小了敏感芯片的交叉耦合。所设计量程为105g的敏感芯片满量程输出约为21.42 m V,固有频率约1.025 MHz,交叉耦合约4.24%,过载可达6.5倍量程以上。
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