Sb掺杂LiBiO3电子结构的第一性原理计算 |
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作者姓名: | 韦帅 胡朝浩 钟燕 陈冉 吕丰正 周怀营 |
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作者单位: | 桂林电子科技大学材料科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(11164005,50901023);广西自然科学基金(2010GXNSFD013009,2012GXNSFGA060002) |
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摘 要: | 通过能带结构、电子态密度、电子局域化函数、Bader电荷等方面的密度泛函理论(DFT)第一性原理计算,对掺杂了Sb的LiBiO3的电子结构进行研究,试图从理论角度探寻合适的光催化材料。计算结果表明,空间群为Pccn的正交LiBiO3为直接半导体,DFT计算带隙为0.23eV,而采用HSE泛函形式的计算带隙为1.18eV,较为接近实验测定值。随着Sb掺杂量的增加,LiBi1-xSbxO3的计算带隙逐渐加大,与纯LiBiO3相比,Sb掺杂体系中出现了具有更强键合作用的Sb-O键,有利于改善体系的光催化性能。
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关 键 词: | LiBiO3 第一性原理计算 Sb掺杂 光催化性能 |
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