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| NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用 | |
| 引用本文： | 陈燕生,刘桂荣,王培清,陈炳贤,张文成,郑慧秀,解俊东.NTDFZ（H）－Si单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用[J].稀有金属,1995(3). |
| 作者姓名： | 陈燕生 刘桂荣 王培清 陈炳贤 张文成 郑慧秀 解俊东 |
| 作者单位： | 北京科技大学，清华大学电力电子厂，中国科学院原子能研究院 |
| 摘 要： | ＮＴＤＦＺ（Ｈ）－Ｓｉ单晶中氢沉淀的消除及其在功率器件中的应用陈燕生，刘桂荣，王培清（北京科技大学１０００８３）（清华大学电力电子厂）陈炳贤，张文成，郑慧秀，解俊东（中国科学院原子能研究院）（冶金部自动化研究院）关键词：区熔，硅单晶，热处理，微缺陷，... |
| 关 键 词： | 区熔，硅单晶，热处理，微缺陷，功率器件 |
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