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| 低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜 | |
| 引用本文： | 刘冰,李宁.低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜[J].山东电子,1998(2):35-36. |
| 作者姓名： | 刘冰 李宁 |
| 作者单位： | [1]济南市半导体元件实验所 [2]济南市新技术研究所 |
| 摘 要： | 本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。 |
| 关 键 词： | 钝化 淀积 腐蚀 复合纯化膜 半导体器件 PECVD法 |
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