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| 辐照对IGBT特性的影响 | |
| 引用本文： | 袁寿财.辐照对IGBT特性的影响[J].半导体技术,1997(4):26-30. |
| 作者姓名： | 袁寿财 |
| 作者单位： | 西安电力电子技术研究所 |
| 摘 要： | 阐述了中子辐照对ＩＧＢＴ特性的影响，给出了器件在中子辐射注量高达１０＾１３ｎ／ｃｍ＾２时的实验结果。实验发现，随着中子注量的增加，开关时间缩短，阈值电压漂移。对于所研究的注量范围，所观察的效应是由于ＩＧＢＴ少子寿命减少造成的，而不是由于有效掺杂浓度变化所致。 |
| 关 键 词： | IGBT 辐照 开关时间 阈值电压 MOSFET |
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