| 激光加热基座生长晶体技术的新进展 |
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| 引用本文： | 蒋毅坚,R.G.Guo,A.S.Bhalla.激光加热基座生长晶体技术的新进展[J].激光与光电子学进展,2001(9):55-55. |
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| 作者姓名： | 蒋毅坚 R.G.Guo A.S.Bhalla |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学激光工程研究院,
2. Materials Research Laboratory, The Pennsylvania St |
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| 摘 要： | 介绍了激光加热基座生长晶体技术(LHPG)的特色和最新进展.具体表现在:1) 所生长晶体的尺寸大幅度提高,横截面直径由0.5 mm左右提高到2.5 mm.运用该项技术,成功地进行了人工蓝宝石晶体的生长,并应用于装饰性人工宝石的生产过程中.对直径大于1.0 mm的铁电晶体,已可以系统测量其介电、压电、热释电、热膨胀性质以及电滞回线.2) 通过对LHPG生长装置的改进,使晶体生长的速度大幅提高.莫来石晶体的生长速度可达150 mm/小时.3) 通过对陶瓷源棒组分的调整和对生长温度、气氛的控制,成功地生长出了含有铅元素的晶体PSKNN和PMN-PT,使该方法在开发新型高性能压电换能器和电光器件方面将发挥重要作用.4) 实现了几种晶体共生于一体的共晶型晶体的生长,如微波介电材料MgTiO3-CaTiO3,大大拓宽了该方法的应用领域.5) 成功地生长出Ba(Mg1/3Ta2/3)O3晶体,使晶体生长温度提高到3100°C.(OH9)
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| 关 键 词： | 晶体生长 介电材料 激光加热 |
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