| p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列 |
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| 引用本文： | 杨红官,施毅,闾锦,濮林,沈波,张荣,郑有炓.p沟道锗/硅异质纳米结构MOSFET存储器及其逻辑阵列[J].半导体学报,2004,25(2):179-184. |
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| 作者姓名： | 杨红官 施毅 闾锦 濮林 沈波 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093;南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用巴丁(Bardeen)传输哈密顿方法,数值计算了p沟道锗/硅异质纳米结构存储器的时间特性.由于台阶状隧穿势垒和较高价带带边的作用,这种新型的存储器单元可以同时实现器件的快速编程和长久存储,具有优异的存储特性.以2×2逻辑阵列为例说明了这类存储器单元组成逻辑电路的设计原理.研究结果表明:这种器件可以作为在室温下工作的性能优异的非易失性存储器单元,有望在将来的超大规模集成电路中获得应用.
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| 关 键 词： | 锗/硅 异质纳米结构 存储器 空穴隧穿 数值模拟 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)02-0179-06 |
| 修稿时间： | 2003年3月18日 |
p-Channel Ge/Si Hetero-Nanocrystal Based MOSFET Memoryand Its Logic Array |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge/Si hetero-nanocrystal memory hole tunneling simulation |
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