衬底纯度对GaAs MESFET短沟道效应的影响

本文讨论了衬底纯度对GaAs MESFET短沟道效应的影响。高纯衬底采用MOCVD生长的非掺杂的缓冲层,而低纯衬底则使用注碳离子和(或)注氧离子的衬底。当沟道下面注入碳离子和(或)氧离子时,阈值电压强烈地改变。衬底不纯时,短沟道效应便被很好地抑制住了。