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| 高质量非晶硅锗材料的研制 | |
| 引用本文： | 王广才,耿新华.高质量非晶硅锗材料的研制[J].半导体杂志,1997,22(2):12-15. |
| 作者姓名： | 王广才 耿新华 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 |
| 摘 要： | ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料的光电性能强烈地依赖于沉积条件，选择适当的氢稀释率、气体压强，掺锗率和辉光功率，获得了光带隙为１．４５ｅＶ，光暗电导比为１．６×１０＾５的高质量ａ－ＳｉＧｅ：Ｈ材料。 |
| 关 键 词： | 非晶硅锗合金 氢稀释率 气体压强 掺锗率 |
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