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无楔化CsD_2AsO_4单晶的生长
引用本文:吕孟凯,魏景谦,高罗以,高樟寿.无楔化CsD_2AsO_4单晶的生长[J].硅酸盐学报,1986(4).
作者姓名:吕孟凯  魏景谦  高罗以  高樟寿
作者单位:山东大学晶体材料研究所 (吕孟凯,魏景谦,高罗以),山东大学晶体材料研究所(高樟寿)
摘    要:本文报道了DCDA合成,溶液制备,在D_2O中的溶解度曲线,晶体成帽以及该晶体无楔化生长条件。在pH=8.4时,起始生长温度为50℃左右,在1000ml的小容器中,用降温法成功地生长出了30×30×25mm的DCDA大单晶。本文就晶体成帽、楔化及边角生长问题进行了分析与讨论。

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